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MC-458CA727EFA-A75

更新时间： 2024-11-25 22:22:43

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		内存集成电路动态存储器时钟
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描述
8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE

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MC-458CA727EFA-A75 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	603979776 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX72
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MC-458CA727EFA-A75 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-458CA727

8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

★

Description

The MC-458CA727EFA and MC-458CA727PFA are 8,388,608 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module

on which 5 pieces of 128M SDRAM : µPD45128163 are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 8,388,608 words by 72 bits organization (ECC Type)

• Clock frequency and access time from CLK

Part number

MC-458CA727EFA-A75

MC-458CA727PFA-A75

/CAS latency

Clock frequency

(MAX.)

Access time from CLK

(MAX.)

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

133 MHz

100 MHz

133 MHz

100 MHz

5.4 ns

6.0 ns

5.4 ns

6.0 ns

★

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable wrap sequence (sequential / interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

★

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10 Ω ± 10 % of series resistor

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles /64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published January 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

M14278EJ3V0DS00 (3rd edition)

The mark • shows major revised points.

1999

12 3 4 5 6 7...16

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