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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | PLASTIC, TSOP1-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 90 ns |
| 其他特性： | ALSO CONFIGURABLE AS 2M X 8 | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29LV160BE90TR | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
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| MBM29LV160BE-90TR | FUJITSU |
获取价格 |
1MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
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| MBM29LV160BE-90TR | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
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| MBM29LV160BM90PBT | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM |
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| MBM29LV160BM90PBT-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 90ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 |
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| MBM29LV160BM90TN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM |
|
| MBM29LV160BM90TN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| MBM29LV160T | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT |
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| MBM29LV160T | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT |
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| MBM29LV160T-12 | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT |
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