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MBM29LV160BM90TN

更新时间： 2024-12-01 05:22:27

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
57页	521K
描述
FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM

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MBM29LV160BM90TN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.63	最长访问时间：	90 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,31
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

MBM29LV160BM90TN 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20906-3E

FLASH MEMORY

CMOS

16 M (2M × 8/1M × 16) BIT

MirrorFlash^TM*

MBM29LV160TM/BM ⁹⁰

■ DESCRIPTION

The MBM29LV160TM/BM is a 32M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 4M bytes by 8 bits or 2M words

by 16 bits. The MBM29LV160TM/BM is offered in 48-pin TSOP(1) and 48-ball FBGA. The device is designed to

be programmed in-system with the standard 3.0 V VCC supply. 12.0 V VPP and 5.0 V VCC are not required for

program or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.

The standard MBM29LV160TM/BM offers access times of 90 ns, allowing operation of high-speed microproces-

sors without wait states. To eliminate bus contention the devices have separate chip enable (CE), write enable

(WE), and output enable (OE) controls.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

MBM29LV160TM/BM

Part No.

V^CC

3.0 V to 3.6 V

90 ns

Max Address Access Time

Max CE Access Time

Max OE Access Time

90 ns

25 ns

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (1)

48-ball plastic FBGA

Marking Side

(FPT-48P-M19)

(BGA-48P-M20)

* : MirrorFlash^TMis a trademark of Fujitsu Limited.

Notes : • Programming in byte mode ( × 8) is prohibited.

• Programming to the address that already contains data is prohibited (It is mandatory to erase data prior to

overprogram on the same address) .

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV160BM90TN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV160T	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PBT	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV160T-12PBT-SF2	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PBT-SF2-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48

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