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MBM29LV160T-12PBT

更新时间： 2024-11-30 22:19:23

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	732K
描述
16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT

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MBM29LV160T-12PBT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,32
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	SECTOR ERASE; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TOP BOOT; CAN BE ORGANIZED AS 1M X 16
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	9 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

MBM29LV160T-12PBT 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20846-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT

-80/-90/-12

/MBM29LV160B

MBM29LV160T

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP (I) (Package suffix: PFTN-Normal Bend Type, PFTR-Reversed Bend Type)

46-pin SON (Package suffix: PN)

48-pin CSOP (Package suffix: PCV)

48-ball FBGA (Package suffix: PBT)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

80 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K word, two 4K words, one 16K word, and thirty-one 32K words sectors in word mode

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and thirty-one 64K bytes sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded program^TMAlgorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switches themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

(Continued)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV160T-12PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV160T-12PBT-SF2	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PBT-SF2-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV160T-12PBT-X	FUJITSU	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV160T-12PCV	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PCV	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PCV-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, CSOP-48
MBM29LV160T-12PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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