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MBM29LV160T-12PBT-SF2

更新时间： 2024-11-30 22:19:23
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
60页 732K
描述
16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT

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MBM29LV160T-12PBT-SF2 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, FBGA-48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.77Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns其他特性：CONFIGURABLE AS 1M X 16
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：9 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,31端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

MBM29LV160T-12PBT-SF2 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20846-4E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
16M (2M × 8/1M × 16) BIT  
-80/-90/-12  
-80/-90/-12  
/MBM29LV160B  
MBM29LV160T  
■ FEATURES  
• Single 3.0 V read, program and erase  
Minimizes system level power requirements  
• Compatible with JEDEC-standard commands  
Uses same software commands as E2PROMs  
• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts  
48-pin TSOP (I) (Package suffix: PFTN-Normal Bend Type, PFTR-Reversed Bend Type)  
46-pin SON (Package suffix: PN)  
48-pin CSOP (Package suffix: PCV)  
48-ball FBGA (Package suffix: PBT)  
• Minimum 100,000 program/erase cycles  
• High performance  
80 ns maximum access time  
• Sector erase architecture  
One 8K word, two 4K words, one 16K word, and thirty-one 32K words sectors in word mode  
One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and thirty-one 64K bytes sectors in byte mode  
Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase  
• Boot Code Sector Architecture  
T = Top sector  
B = Bottom sector  
• Embedded EraseTM Algorithms  
Automatically pre-programs and erases the chip or any sector  
• Embedded programTM Algorithms  
Automatically programs and verifies data at specified address  
• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion  
• Ready/Busy output (RY/BY)  
Hardware method for detection of program or erase cycle completion  
• Automatic sleep mode  
When addresses remain stable, automatically switches themselves to low power mode  
• Low VCC write inhibit ≤ 2.5 V  
(Continued)  
Embedded EraseTM and Embedded ProgramTM are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.  
1234567...60

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与MBM29LV160T-12PBT-SF2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM29LV160T-12PBT-SF2-E1 SPANSION

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 		Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV160T-12PBT-X FUJITSU

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 		Flash, 2MX8, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV160T-12PCV SPANSION

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 		FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PCV FUJITSU

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 		16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PCV-E1 SPANSION

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 		Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, CSOP-48
MBM29LV160T-12PFTN SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PFTN FUJITSU

获取价格

 		16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-12PFTN-E1 SPANSION

获取价格

 		Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV160T-12PFTN-X FUJITSU

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 		暂无描述
MBM29LV160T-12PFTR SPANSION

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 		FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT

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