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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 负电源额定电压： | -5.2 V | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX1 | |
| 输出特性： | OPEN-EMITTER | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | -5.2 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 表面贴装： | NO |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM10C500-15CV | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CQCC24 |
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| MBM10C500-15ZF | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CDFP24 |
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| MBM150A6 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM150F12 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM150GR12A | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MBM150GR12A | RENESAS |
获取价格 |
150A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| MBM150GR6 | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MBM150GS6AW | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| MBM150GS6AW | RENESAS |
获取价格 |
150A, 600V, N-CHANNEL IGBT |
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| MBM200A6 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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