5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP18,.3 |
| 针数： | 18 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 250 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256X4 | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM27128-20CV | FUJITSU |
获取价格 |
EPROM, 16KX8, 200ns, MOS, CQCC32 |
|
| MBM27128-25 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC, |
|
| MBM27128-25C | FUJITSU |
获取价格 |
EPROM, 16KX8, 250ns, MOS, CDIP28 |
|
| MBM27128-25Z | FUJITSU |
获取价格 |
EPROM, 16KX8, 250ns, MOS, CDIP28 |
|
| MBM27128-30 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
|
| MBM2716 | FUJITSU |
获取价格 |
UV ERASABLE 16,384-BIT READ ONLY MEMORY |
|
| MBM2716H | FUJITSU |
获取价格 |
UV ERASABLE 16,384-BIT READ ONLY MEMORY |
|
| MBM2716HC | FUJITSU |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MBM2716HZ | FUJITSU |
获取价格 |
OTP ROM, 2KX8, 350ns, MOS, CDIP24 |
|
| MBM2716-X | FUJITSU |
获取价格 |
UV ERASABLE 16,384-BIT READ ONLY MEMORY |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
