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MBM27256-30Z-X

更新时间: 2024-02-03 02:31:17
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 318K
描述
EPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CDIP28

MBM27256-30Z-X 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.86最长访问时间:300 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
编程电压:12.5 V认证状态:Not Qualified
子类别:EPROMs最大压摆率:0.12 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MBM27256-30Z-X 数据手册

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