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MBM2764-25Z

更新时间: 2024-02-09 09:24:53
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富士通 - FUJITSU 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 572K
描述
EPROM, 8KX8, 250ns, MOS, CDIP28

MBM2764-25Z 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP28,.6
针数:28Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.89最长访问时间:250 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存宽度:8端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
编程电压:21 V认证状态:Not Qualified
子类别:EPROMs最大压摆率:0.15 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MBM2764-25Z 数据手册

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