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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.86 | 最长访问时间： | 300 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM27256-30Z-X | FUJITSU |
获取价格 |
EPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CDIP28 |
|
| MBM2764 | FUJITSU |
获取价格 |
UV ERASABLE 65536-BIT READ ONLY MEMORY |
|
| MBM2764-20 | FUJITSU |
获取价格 |
UV ERASABLE 65536-BIT READ ONLY MEMORY |
|
| MBM2764-20CV | FUJITSU |
获取价格 |
EPROM, 8KX8, 200ns, MOS, CQCC32 |
|
| MBM2764-20TV | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
|
| MBM2764-25 | FUJITSU |
获取价格 |
UV ERASABLE 65536-BIT READ ONLY MEMORY |
|
| MBM2764-25CV | FUJITSU |
获取价格 |
IC,EPROM,8KX8,MOS,LLCC,32PIN,CERAMIC |
|
| MBM2764-25TV | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
|
| MBM2764-25Z | FUJITSU |
获取价格 |
EPROM, 8KX8, 250ns, MOS, CDIP28 |
|
| MBM2764-30 | FUJITSU |
获取价格 |
UV ERASABLE 65536-BIT READ ONLY MEMORY |
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