5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM150F12 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
|
| MBM150GR12A | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| MBM150GR12A | RENESAS |
获取价格 |
150A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
|
| MBM150GR6 | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| MBM150GS6AW | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| MBM150GS6AW | RENESAS |
获取价格 |
150A, 600V, N-CHANNEL IGBT |
|
| MBM200A6 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
|
| MBM200GR6 | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| MBM200GR6 | RENESAS |
获取价格 |
200A, 600V, N-CHANNEL IGBT |
|
| MBM200GS12AW | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
