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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.66 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 200 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 1470 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max： | 3.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM200JS12EW | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| MBM200JS12EW | RENESAS |
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IGBT |
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| MBM2212-20 | FUJITSU |
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MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
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| MBM2212-20Z | FUJITSU |
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Non-Volatile SRAM, 256X4, 200ns, MOS, CDIP18 |
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| MBM2212-25 | FUJITSU |
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MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
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| MBM2212-25P | FUJITSU |
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Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, MOS, PDIP18 |
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| MBM2212-25Z | FUJITSU |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, MOS, CDIP18 |
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| MBM27128-20CV | FUJITSU |
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EPROM, 16KX8, 200ns, MOS, CQCC32 |
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| MBM27128-25 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC, |
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| MBM27128-25C | FUJITSU |
获取价格 |
EPROM, 16KX8, 250ns, MOS, CDIP28 |
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