生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.66 |
最大集电极电流 (IC): | 200 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs): | 1470 W |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max: | 3.4 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM200JS12EW | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES | |
MBM200JS12EW | RENESAS |
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IGBT | |
MBM2212-20 | FUJITSU |
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MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY | |
MBM2212-20Z | FUJITSU |
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Non-Volatile SRAM, 256X4, 200ns, MOS, CDIP18 | |
MBM2212-25 | FUJITSU |
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MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY | |
MBM2212-25P | FUJITSU |
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Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, MOS, PDIP18 | |
MBM2212-25Z | FUJITSU |
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Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, MOS, CDIP18 | |
MBM27128-20CV | FUJITSU |
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EPROM, 16KX8, 200ns, MOS, CQCC32 | |
MBM27128-25 | FUJITSU |
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Memory IC, | |
MBM27128-25C | FUJITSU |
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EPROM, 16KX8, 250ns, MOS, CDIP28 |