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LMC660AIN/NOPB

更新时间： 2024-11-05 11:12:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管运算放大器
页数 文件大小 规格书
24页 909K
描述
四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 | N | 14 | -40 to 85

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LMC660AIN/NOPB 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP-14针数：14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.32Is Samacsys：N
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER架构：VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：0.000004 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.000004 µA
最小共模抑制比：63 dB标称共模抑制比：83 dB
频率补偿：YES最大输入失调电流 (IIO)：0.000002 µA
最大输入失调电压：3000 µVJESD-30 代码：R-PDIP-T14
JESD-609代码：e3长度：19.049 mm
低-偏置：YES低-失调：NO
微功率：YES湿度敏感等级：1
功能数量：4端子数量：14
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE包装方法：TUBE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE功率：NO
电源：5/15 V可编程功率：NO
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.334 mm
最小摆率：0.6 V/us标称压摆率：1.1 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：0.55 mA
供电电压上限：16 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：1400 kHz最小电压增益：60000
宽带：NO宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

LMC660AIN/NOPB 数据手册

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LMC660  
www.ti.com  
SNOSBZ3D –APRIL 1998–REVISED MARCH 2013  
LMC660 CMOS Quad Operational Amplifier  
Check for Samples: LMC660  
1
FEATURES  
DESCRIPTION  
The LMC660 CMOS Quad operational amplifier is  
ideal for operation from a single supply. It operates  
from +5V to +15.5V and features rail-to-rail output  
swing in addition to an input common-mode range  
that includes ground. Performance limitations that  
have plagued CMOS amplifiers in the past are not a  
problem with this design. Input VOS, drift, and  
broadband noise as well as voltage gain into realistic  
loads (2 kΩ and 600Ω) are all equal to or better than  
widely accepted bipolar equivalents.  
2
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•
Rail-to-Rail Output Swing  
Specified for 2 kΩ and 600Ω Loads  
High Voltage Gain: 126 dB  
Low Input Offset Voltage: 3 mV  
Low Offset Voltage Drift: 1.3 μV/°C  
Ultra Low Input Bias Current: 2 fA  
Input Common-Mode Range Includes V−  
Operating Range from +5V to +15.5V Supply  
ISS = 375 μA/Amplifier; Independent of V+  
Low Distortion: 0.01% at 10 kHz  
Slew Rate: 1.1 V/μs  
This chip is built with TI's advanced Double-Poly  
Silicon-Gate CMOS process.  
See the LMC662 datasheet for a dual CMOS  
operational amplifier with these same features.  
APPLICATIONS  
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•
High-Impedance Buffer or Preamplifier  
Precision Current-to-Voltage Converter  
Long-Term Integrator  
Sample-and-Hold Circuit  
Peak Detector  
Medical Instrumentation  
Industrial Controls  
Automotive Sensors  
Connection Diagrams  
Figure 1. 14-Pin SOIC/PDIP  
Figure 2. LMC660 Circuit Topology (Each  
Amplifier)  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
All trademarks are the property of their respective owners.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 1998–2013, Texas Instruments Incorporated  
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LMC660AIN/NOPB 替代型号

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