是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.23 | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0001 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.00002 µA | 最小共模抑制比: | 70 dB |
标称共模抑制比: | 70 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 3500 µV | JESD-30 代码: | R-GDIP-T14 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 19.43 mm |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
微功率: | YES | 负供电电压上限: | -16 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -5 V | 功能数量: | 4 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP14,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5/15 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最小摆率: | 0.8 V/us |
标称压摆率: | 1.1 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 2.9 mA | 供电电压上限: | 16 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 1400 kHz |
最小电压增益: | 100000 | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LMC660C | NSC |
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CMOS Quad Operational Amplifier | |
LMC660CM | NSC |
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CMOS Quad Operational Amplifier | |
LMC660CM | TI |
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四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 | D | 14 | 0 to 70 | |
LMC660CM/NOPB | NSC |
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IC QUAD OP-AMP, 6300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14, O | |
LMC660CM/NOPB | ROCHESTER |
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Operational Amplifier, 4 Func, 6300uV Offset-Max, CMOS, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14 | |
LMC660CM/NOPB | TI |
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四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 | D | 14 | 0 to 70 | |
LMC660CMX | NSC |
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CMOS Quad Operational Amplifier | |
LMC660CMX/NOPB | NSC |
获取价格 |
IC QUAD OP-AMP, 6300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14, O | |
LMC660CMX/NOPB | TI |
获取价格 |
四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 | D | 14 | 0 to 70 | |
LMC660CN | NSC |
获取价格 |
CMOS Quad Operational Amplifier |