是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP14,.25 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.07 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.00006 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.00006 µA |
最小共模抑制比: | 63 dB | 标称共模抑制比: | 83 dB |
频率补偿: | YES | 最大输入失调电压: | 6500 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G14 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 8.65 mm | 低-偏置: | YES |
低-失调: | NO | 微功率: | YES |
标称负供电电压 (Vsup): | 功能数量: | 4 | |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP14,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5/15 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
最小摆率: | 0.8 V/us | 标称压摆率: | 1.1 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 3 mA |
供电电压上限: | 16 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 1400 kHz | 最小电压增益: | 50000 |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LMC660EMX | NSC |
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暂无描述 | |
LMC660EN | NSC |
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CMOS Quad Operational Amplifier | |
LMC660EP | NSC |
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CMOS Quad Operational Amplifier | |
LMC662 | NSC |
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CMOS Dual Operational Amplifier | |
LMC662 | TI |
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LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier | |
LMC662AIM | TI |
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LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier | |
LMC662AIM | NSC |
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CMOS Dual Operational Amplifier | |
LMC662AIM/NOPB | TI |
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LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier | |
LMC662AIMX | TI |
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LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier | |
LMC662AIMX/NOPB | TI |
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LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |