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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.07 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.000004 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.000004 µA | 最小共模抑制比： | 68 dB |
| 标称共模抑制比： | 83 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 3300 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 4.9 mm |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | NO |
| 微功率： | YES | 湿度敏感等级： | 1 |
| 负供电电压上限： | 标称负供电电压 (Vsup)： | ||
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 包装方法： | RAIL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 电源： | 5/15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 最小摆率： | 0.6 V/us | 标称压摆率： | 1.1 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 1.5 mA |
| 供电电压上限： | 16 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 标称均一增益带宽： | 1400 kHz | 最小电压增益： | 60000 |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LMC662AIM/NOPB | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662AIMX | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662AIMX/NOPB | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662AIN | NSC |
获取价格 |
CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662AIN | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662AIN/NOPB | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662AMD | NSC |
获取价格 |
CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662AMD | TI |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, CDIP8, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CE |
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| LMC662AMJ/883 | NSC |
获取价格 |
CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662AMJ/883 | TI |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8 |
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