LMC660CN

更新时间： 2024-11-26 22:36:55

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美国国家半导体 - NSC		运算放大器
页数	文件大小	规格书
14页	464K
描述
CMOS Quad Operational Amplifier

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LMC660CN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP-14
针数：	14	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.02	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.000002 µA
最小共模抑制比：	63 dB	标称共模抑制比：	83 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电压：	6300 µV
JESD-30 代码：	R-PDIP-T14	JESD-609代码：	e0
长度：	19.18 mm	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	微功率：	YES
湿度敏感等级：	1	负供电电压上限：
标称负供电电压 (Vsup)：		功能数量：	4
端子数量：	14	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP14,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5/15 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最小摆率：	0.8 V/us	标称压摆率：	1.1 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	2.9 mA
供电电压上限：	16 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
标称均一增益带宽：	1400 kHz	最小电压增益：	50000
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

LMC660CN 数据手册

April 1998

LMC660

CMOS Quad Operational Amplifier

n Ultra low input bias current: 2 fA

n Input common-mode range includes V⁻

General Description

The LMC660 CMOS Quad operational amplifier is ideal for

operation from a single supply. It operates from +5V to +15V

and features rail-to-rail output swing in addition to an input

common-mode range that includes ground. Performance

limitations that have plagued CMOS amplifiers in the past

are not a problem with this design. Input V_OS, drift, and

broadband noise as well as voltage gain into realistic loads

(2 kΩ and 600Ω) are all equal to or better than widely ac-

cepted bipolar equivalents.

n Operating range from +5V to +15V supply

n I_SS375 µA/amplifier; independent of V

n Low distortion: 0.01% at 10 kHz

n Slew rate: 1.1 V/µs

n Available in extended temperature range (−40˚C to

+125˚C); ideal for automotive applications

n Available to Standard Military Drawing specification

This chip is built with National’s advanced Double-Poly

Silicon-Gate CMOS process.

Applications

n High-impedance buffer or preamplifier

n Precision current-to-voltage converter

n Long-term integrator

See the LMC662 datasheet for a dual CMOS operational

amplifier with these same features.

n Sample-and-Hold circuit

n Peak detector

n Medical instrumentation

n Industrial controls

Features

n Rail-to-rail output swing

n Specified for 2 kΩ and 600Ω loads

n High voltage gain: 126 dB

n Low input offset voltage: 3 mV

n Low offset voltage drift: 1.3 µV/˚C

n Automotive sensors

Connection Diagram

14-Pin DIP/SO

DS008767-1

DS008767

www.national.com

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LMC660CN 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
LMC660CN/NOPB	TI	功能相似	四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 \| N \| 14 \| 0 to 70
LMC660AIN/NOPB	TI	功能相似	四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 \| N \| 14 \| -40 to 85
LMC660AIN	NSC	功能相似	CMOS Quad Operational Amplifier

与LMC660CN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMC660CN/NOPB	NSC	获取价格	IC QUAD OP-AMP, 6300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDIP14, ROHS COMPLIANT, DIP-14, Op
LMC660CN/NOPB	TI	获取价格	四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 \| N \| 14 \| 0 to 70
LMC660EM	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660EM	TI	获取价格	QUAD OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, PDSO14, SO-14
LMC660EMX	NSC	获取价格	暂无描述
LMC660EN	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660EP	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC662	NSC	获取价格	CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662	TI	获取价格	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662AIM	TI	获取价格	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier

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