LMC660EM

更新时间： 2025-07-28 22:36:55

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美国国家半导体 - NSC		运算放大器光电二极管
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14页	464K
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CMOS Quad Operational Amplifier

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LMC660EM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SO-14
针数：	14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.07	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.00006 µA	最小共模抑制比：	63 dB
标称共模抑制比：	83 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电压：	6500 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G14
JESD-609代码：	e0	长度：	8.65 mm
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
微功率：	YES	标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP14,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5/15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	最小摆率：	0.8 V/us
标称压摆率：	1.1 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	3 mA	供电电压上限：	16 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称均一增益带宽：	1400 kHz
最小电压增益：	50000	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

LMC660EM 数据手册

April 1998

LMC660

CMOS Quad Operational Amplifier

n Ultra low input bias current: 2 fA

n Input common-mode range includes V⁻

General Description

The LMC660 CMOS Quad operational amplifier is ideal for

operation from a single supply. It operates from +5V to +15V

and features rail-to-rail output swing in addition to an input

common-mode range that includes ground. Performance

limitations that have plagued CMOS amplifiers in the past

are not a problem with this design. Input V_OS, drift, and

broadband noise as well as voltage gain into realistic loads

(2 kΩ and 600Ω) are all equal to or better than widely ac-

cepted bipolar equivalents.

n Operating range from +5V to +15V supply

n I_SS375 µA/amplifier; independent of V

n Low distortion: 0.01% at 10 kHz

n Slew rate: 1.1 V/µs

n Available in extended temperature range (−40˚C to

+125˚C); ideal for automotive applications

n Available to Standard Military Drawing specification

This chip is built with National’s advanced Double-Poly

Silicon-Gate CMOS process.

Applications

n High-impedance buffer or preamplifier

n Precision current-to-voltage converter

n Long-term integrator

See the LMC662 datasheet for a dual CMOS operational

amplifier with these same features.

n Sample-and-Hold circuit

n Peak detector

n Medical instrumentation

n Industrial controls

Features

n Rail-to-rail output swing

n Specified for 2 kΩ and 600Ω loads

n High voltage gain: 126 dB

n Low input offset voltage: 3 mV

n Low offset voltage drift: 1.3 µV/˚C

n Automotive sensors

Connection Diagram

14-Pin DIP/SO

DS008767-1

DS008767

www.national.com

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