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LMC662AMD

更新时间： 2024-11-23 21:14:39

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		放大器
页数	文件大小	规格书
18页	473K
描述
DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, CDIP8, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-8

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LMC662AMD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP8,.3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0001 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.00002 µA
最小共模抑制比：	70 dB	标称共模抑制比：	83 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电压：	3500 µV
JESD-30 代码：	R-CDIP-T8	JESD-609代码：	e0
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
微功率：	YES	负供电电压上限：	-8 V
标称负供电电压 (Vsup)：		功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5/15 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.715 mm
最小摆率：	0.8 V/us	标称压摆率：	1.1 V/us
子类别：	Operational Amplifiers	最大压摆率：	1.8 mA
供电电压上限：	8 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：	1400 kHz	最小电压增益：	100000
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMC662AMJ/883	NSC	获取价格	CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662AMJ/883	TI	获取价格	DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8
LMC662CM	NSC	获取价格	CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662CM	TI	获取价格	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662CM/NOPB	TI	获取价格	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662CMX	TI	获取价格	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662CMX/NOPB	TI	获取价格	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662CN	TI	获取价格	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662CN	NSC	获取价格	CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662CN/NOPB	TI	获取价格	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier