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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0001 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.00002 µA |
| 最小共模抑制比： | 70 dB | 标称共模抑制比： | 70 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电压： | 3500 µV |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | NO |
| 微功率： | YES | 负供电电压上限： | -8 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | 功能数量： | 2 | |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5/15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最小摆率： | 0.8 V/us |
| 标称压摆率： | 1.1 V/us | 子类别： | Operational Amplifiers |
| 最大压摆率： | 1.8 mA | 供电电压上限： | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 1400 kHz |
| 最小电压增益： | 100000 | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LMC662CM | NSC |
获取价格 |
CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662CM | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662CM/NOPB | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662CMX | TI |
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LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662CMX/NOPB | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662CN | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662CN | NSC |
获取价格 |
CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662CN/NOPB | TI |
获取价格 |
LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier |
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| LMC662EM | NSC |
获取价格 |
CMOS Dual Operational Amplifier |
|
| LMC662EM | TI |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, PDSO8, SO-8 |
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