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LMC662AMD PDF预览

LMC662AMD

更新时间： 2024-11-22 22:47:03
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
13页 433K
描述
CMOS Dual Operational Amplifier

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LMC662AMD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.69放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.0001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.00002 µA最小共模抑制比：70 dB
标称共模抑制比：83 dB频率补偿：YES
最大输入失调电压：3500 µVJESD-30 代码：R-CDIP-T8
JESD-609代码：e0低-偏置：YES
低-失调：NO微功率：YES
负供电电压上限：-8 V标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5/15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.715 mm最小摆率：0.8 V/us
标称压摆率：1.1 V/us子类别：Operational Amplifiers
最大压摆率：1.8 mA供电电压上限：8 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称均一增益带宽：1400 kHz
最小电压增益：100000宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

LMC662AMD 数据手册

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April 1998  
LMC662  
CMOS Dual Operational Amplifier  
n Ultra low input bias current: 2 fA  
General Description  
n Input common-mode range includes V−  
n Operating range from +5V to +15V supply  
The LMC662 CMOS Dual operational amplifier is ideal for  
operation from a single supply. It operates from +5V to +15V  
and features rail-to-rail output swing in addition to an input  
common-mode range that includes ground. Performance  
limitations that have plagued CMOS amplifiers in the past  
are not a problem with this design. Input VOS, drift, and  
broadband noise as well as voltage gain into realistic loads  
(2 kΩ and 600Ω) are all equal to or better than widely ac-  
cepted bipolar equivalents.  
=
n ISS 400 µA/amplifier; independent of V+  
n Low distortion: 0.01% at 10 kHz  
n Slew rate: 1.1 V/µs  
n Available in extended temperature range (−40˚C to  
+125˚C); ideal for automotive applications  
n Available to a Standard Military Drawing specification  
This chip is built with National’s advanced Double-Poly  
Silicon-Gate CMOS process.  
Applications  
n High-impedance buffer or preamplifier  
n Precision current-to-voltage converter  
n Long-term integrator  
See the LMC660 datasheet for a Quad CMOS operational  
amplifier with these same features.  
n Sample-and-hold circuit  
n Peak detector  
n Medical instrumentation  
n Industrial controls  
Features  
n Rail-to-rail output swing  
n Specified for 2 kΩ and 600Ω loads  
n High voltage gain: 126 dB  
n Low input offset voltage: 3 mV  
n Low offset voltage drift: 1.3 µV/˚C  
n Automotive sensors  
Connection Diagram  
8-Pin DIP/SO  
DS009763-1  
Ordering Information  
Package  
Temperature Range  
NSC  
Transport  
Media  
Drawing  
Military  
Extended  
Industrial Commercial  
8-Pin  
LMC662AMJ/883  
J08A  
M08A  
N08E  
Rail  
Ceramic DIP  
8-Pin  
LMC662EM LMC662AIM LMC662CM  
LMC662EN LMC662AIN LMC662CN  
Rail,  
Tape and Reel  
Rail  
Small Outline  
8-Pin  
Molded DIP  
8-Pin  
Side Brazed  
Ceramic DIP  
LMC662AMD  
D08C  
Rail  
© 1999 National Semiconductor Corporation  
DS009763  
www.national.com  
1234567...13

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与LMC662AMD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LMC662AMJ/883 NSC

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 		CMOS Dual Operational Amplifier
LMC662AMJ/883 TI

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 		DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8
LMC662CM NSC

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