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LMC660AMD

更新时间： 2024-11-24 20:18:03

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		放大器
页数	文件大小	规格书
15页	470K
描述
QUAD OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, CDIP14, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14

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LMC660AMD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP14,.3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.23	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.00002 µA	最小共模抑制比：	70 dB
标称共模抑制比：	83 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电压：	3500 µV	JESD-30 代码：	R-CDIP-T14
JESD-609代码：	e0	长度：	19.304 mm
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
微功率：	YES	标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5/15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.572 mm	最小摆率：	0.8 V/us
标称压摆率：	1.1 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	2.9 mA	供电电压上限：	16 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称均一增益带宽：	1400 kHz
最小电压增益：	100000	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

National Semiconductor is now part of

Texas Instruments.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMC660AMJ/883	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660AMJ/883	TI	获取价格	QUAD OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14
LMC660C	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660CM	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660CM	TI	获取价格	四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 \| D \| 14 \| 0 to 70
LMC660CM/NOPB	NSC	获取价格	IC QUAD OP-AMP, 6300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14, O
LMC660CM/NOPB	ROCHESTER	获取价格	Operational Amplifier, 4 Func, 6300uV Offset-Max, CMOS, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14
LMC660CM/NOPB	TI	获取价格	四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 \| D \| 14 \| 0 to 70
LMC660CMX	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660CMX/NOPB	NSC	获取价格	IC QUAD OP-AMP, 6300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14, O