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LMC660AMJ/883

更新时间： 2024-11-23 22:05:39

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美国国家半导体 - NSC		运算放大器
页数	文件大小	规格书
14页	464K
描述
CMOS Quad Operational Amplifier

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LMC660AMJ/883 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP14,.3
针数：	14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.45	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.00002 µA	最小共模抑制比：	70 dB
标称共模抑制比：	70 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电压：	3500 µV	JESD-30 代码：	R-GDIP-T14
JESD-609代码：	e0	长度：	19.43 mm
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
微功率：	YES	负供电电压上限：	-16 V
标称负供电电压 (Vsup)：	-5 V	功能数量：	4
端子数量：	14	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP14,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5/15 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	5.08 mm	最小摆率：	0.8 V/us
标称压摆率：	1.1 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	2.9 mA	供电电压上限：	16 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称均一增益带宽：	1400 kHz
最小电压增益：	100000	宽度：	7.62 mm

LMC660AMJ/883 数据手册

April 1998

LMC660

CMOS Quad Operational Amplifier

n Ultra low input bias current: 2 fA

n Input common-mode range includes V⁻

General Description

The LMC660 CMOS Quad operational amplifier is ideal for

operation from a single supply. It operates from +5V to +15V

and features rail-to-rail output swing in addition to an input

common-mode range that includes ground. Performance

limitations that have plagued CMOS amplifiers in the past

are not a problem with this design. Input V_OS, drift, and

broadband noise as well as voltage gain into realistic loads

(2 kΩ and 600Ω) are all equal to or better than widely ac-

cepted bipolar equivalents.

n Operating range from +5V to +15V supply

n I_SS375 µA/amplifier; independent of V

n Low distortion: 0.01% at 10 kHz

n Slew rate: 1.1 V/µs

n Available in extended temperature range (−40˚C to

+125˚C); ideal for automotive applications

n Available to Standard Military Drawing specification

This chip is built with National’s advanced Double-Poly

Silicon-Gate CMOS process.

Applications

n High-impedance buffer or preamplifier

n Precision current-to-voltage converter

n Long-term integrator

See the LMC662 datasheet for a dual CMOS operational

amplifier with these same features.

n Sample-and-Hold circuit

n Peak detector

n Medical instrumentation

n Industrial controls

Features

n Rail-to-rail output swing

n Specified for 2 kΩ and 600Ω loads

n High voltage gain: 126 dB

n Low input offset voltage: 3 mV

n Low offset voltage drift: 1.3 µV/˚C

n Automotive sensors

Connection Diagram

14-Pin DIP/SO

DS008767-1

DS008767

www.national.com

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMC660C	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660CM	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660CM	TI	获取价格	四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 \| D \| 14 \| 0 to 70
LMC660CM/NOPB	NSC	获取价格	IC QUAD OP-AMP, 6300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14, O
LMC660CM/NOPB	ROCHESTER	获取价格	Operational Amplifier, 4 Func, 6300uV Offset-Max, CMOS, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14
LMC660CM/NOPB	TI	获取价格	四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 \| D \| 14 \| 0 to 70
LMC660CMX	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660CMX/NOPB	NSC	获取价格	IC QUAD OP-AMP, 6300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14, O
LMC660CMX/NOPB	TI	获取价格	四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 \| D \| 14 \| 0 to 70
LMC660CN	NSC	获取价格	CMOS Quad Operational Amplifier

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