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KTC4075F

更新时间： 2024-01-04 23:09:21

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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3页	66K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC4075F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

KTC4075F 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC4075F

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

· Excellent h_FELinearity

: h_FE(0.1mA)/h_FE(2mA)=0.95(Typ.).

· High h_FE: h_FE=70~700.

· Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).

· Complementary to KTA2014F.

· Thin Fine Pitch Small Package.

DIM MILLIMETERS

0.6+0.05

0.8 0.05

0.38+0.02/-0.04

0.2 0.05

1.0 0.05

0.35 0.05

0.1 0.05

0.15+0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

1. EMITTER

2. BASE

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

3. COLLECTOR

TFSM

150

℃

I_B

Base Current

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

-55∼ 150

Marking

Type Name

T_stg

℃

Rank

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

UNIT

V_CB=60V, I_E=0

μA

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

0.1

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

V_CE=6V, I_C=2mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=10V, I_C=1mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=6V, I_C=0.1mA,

f=1kHz, Rg=10kΩ

700

0.25

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

0.1

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

2.0

3.5

Noise Figure

1.0

Note : h_FEClassification O(2):70∼ 140, Y(4):120∼ 240, GR(6):200∼ 400, BL(8):350~700

2005. 4. 21

Revision No : 0

1/3

12 3

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