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KTC4075V

更新时间： 2024-11-01 03:48:55

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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC4075V 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.61	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

KTC4075V 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC4075V

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

ᴌExcellent h_FELinearity

: h_FE(0.1mA)/h_FE(2mA)=0.95(Typ.).

ᴌHigh h_FE: h_FE=70~700.

DIM MILLIMETERS

1.2 +0.05

0.8 +0.05

ᴌLow Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).

ᴌComplementary to KTA2014V.

ᴌVery Small Package.

0.5+0.05

0.3+0.05

1.2+0.05

0.8+0.05

0.40

0.12+0.05

0.2+0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

VSM

150

ᴱ

I_B

Base Current

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

100

T_j

150

Marking

T_stg

Type Name

-55ᴕ150

ᴱ

Rank

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

UNIT

ỌA

V_CB=60V, I_E=0

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

0.1

ỌA

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

V_CE=6V, I_C=2mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=10V, I_C=1mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=6V, I_C=0.1mA,

f=1kHz, Rg=10kή

700

0.25

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

0.1

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

2.0

3.5

Noise Figure

1.0

Note : h_FEClassification O(2):70ᴕ140, Y(4):120ᴕ240, GR(6):200ᴕ400, BL(8):350~700

2001. 12. 5

Revision No : 1

1/3

12 3

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