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KTC4347

更新时间： 2024-11-18 12:36:43

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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KTC4347 数据手册

RoHS

KTC4347

SOT-89

1. ^BASE

KTC4373 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

Power dissipation

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

P_CM:

500

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

800

120

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=1mA, I_E=0

MIN

120

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Ic=10mA, I_B=0

I_E=1mA, I_C=0

µA

V_CB=120V, I_E=0

0.1

240

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

h_FE

DC current gain

V_CE=5V, I_C=100mA

V_CE(sat)

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=500mA, I_B=50mA

_CE=5V, I_C=500mA

MHz

Transition frequency

f_T

V_CE=5V, I_C=500mA

120

C_ob

Collector output capacitance

_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

80-160

120-240

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Marking

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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