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KTC4075-SOT-23

更新时间： 2024-01-13 06:24:06

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
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2页	129K
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TRANSISTOR（NPN ）

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KTC4075-SOT-23 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT— 23

1. BASE

KTC4075 TRANSISTOR（NPN ）

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

Power dissipation

P_CM

2.4

1.3

0.1

W（Tamb=25℃）

Collector current

I_CM:

0.15

Collector-base voltage

V_(BR)CBO60

Operating and storage junction temperature range

Unit : mm

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

(BR)CBO

I_C= 100 μA， I_E=0

I_C= 1mA， I_B=0

(BR)CEO

(BR)EBO

I_E= 100μA， I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=60 V, I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

V_EB=5V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE= 6V， I_C=2mA

I_C=100mA, I_B= 10mA

700

0.25

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CEsat

V_CE=10V, I = 1mA

MHz

f_T

Collector output capacitance

V_CE=10V， I_E=0，f=1MHz

C_ob

3.5

V_CE=6V，I_E=0.1mA, f=1KHz，R_G=10K?

Noise figure

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

70~140

120~240

200~400

LGR

350~700

LBL

Range

Marking

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