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KTA702E PDF预览

KTA702E

更新时间： 2024-11-19 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

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KTA702E 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.8Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：260 MHz
Base Number Matches：1

KTA702E 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTA702E  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
B
SWITCHING APPLICATION.  
B1  
FEATURES  
ᴌA Collector Current is Large.  
ᴌCollector Saturation Voltage is low.  
: VCE(sat)ᴪ-250mV at IC=-200mA/IB=-10mA.  
ᴌComplementary to KTC802E.  
1
2
3
6
5
DIM MILLIMETERS  
_
A
A1  
B
1.6+0.05  
_
1.0+0.05  
_
1.6+0.05  
_
B1  
C
D
H
J
1.2+0.05  
0.50  
4
_
0.2+0.05  
_
0.5+0.05  
_
0.12+0.05  
P
P
P
5
MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-15  
UNIT  
V
1. Q EMITTER  
1
2. Q BASE  
1
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-12  
V
3. Q COLLECTOR  
2
4. Q EMITTER  
2
-6  
V
5. Q BASE  
2
6. Q COLLECTOR  
1
-500  
-1  
mA  
A
Collector Current  
ICP (Note)  
PC *  
TES6  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
200  
mW  
ᴱ
Tj  
150  
6
5
4
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ᴱ
Note : Single pulse Pw=1mS.  
* Total Rating.  
Q1  
Q2  
1
2
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
nA  
V
VCB=-15V, IE=0  
-
-15  
-12  
-6  
270  
-
-
-
-100  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
hFE  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
IC=-10ỌA  
-
IC=-1mA  
-
-
V
IE=-10ỌA  
-
-
680  
-250  
-
V
VCE=-2V, IC=-10mA  
IC=-200mA, IB=-10mA  
VCE=-2V, IC=-10mA, fT=100MHz  
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  
-
-
VCE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
100  
260  
6.5  
mV  
MHz  
pF  
-
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
Marking  
6
5
4
Type Name  
S Z  
1
2
3
2002. 2. 20  
Revision No : 1  
1/3  
123

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