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KSH200TF PDF预览

KSH200TF

更新时间： 2024-11-14 13:02:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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KSH200TF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：12 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：65 MHz
Base Number Matches：1

KSH200TF 数据手册

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KSH200  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
High DC Current Gain  
Built-in a Damper Diode at E-C  
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
25  
V
8
V
I
I
I
1
5
A
B
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
A
C
10  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T = 25°C)  
12.5  
1.4  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T = 25°C)  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I =100mA, I =0  
25  
V
CBO  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
I
V
=40V, I =0  
100  
100  
nA  
nA  
CB  
E
V
V
=8V, I =0  
C
EBO  
=1V, I =500mA  
70  
CE  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
=1V, I =2A  
45  
10  
180  
FE  
CE  
CE  
C
=2V, I =5A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =500mA, I =50mA  
0.3  
0.75  
1.8  
V
V
V
CE  
C
B
I =2A, I =200mA  
C
B
I =5A, I =1A  
C
B
V
V
(sat)  
(on)  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =5A, I =2A  
2.5  
1.6  
V
V
BE  
BE  
C
B
V
=1V, I =2A  
C
CE  
f
V
=10V, I =100mA  
65  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0, f=0.1MHz  
80  
ob  
CB  
E
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, October 2002  
123456

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