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KSE340S PDF预览

KSE340S

更新时间： 2024-11-02 12:01:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
High Voltage General Purpose Applications

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KSE340S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-126
包装说明：LEAD FREE, TO-126, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.39
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSE340S 数据手册

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KSE340  
High Voltage General Purpose Applications  
•
•
•
High Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Suitable for Transformer  
Complement to KSE350  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
300  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
300  
V
5
V
I
500  
mA  
W
°C  
°C  
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
C
C
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
T
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Max. Units  
BV  
I
= 1mA, I = 0  
300  
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
V
= 300V, I =0  
100  
100  
240  
µA  
µA  
CB  
BE  
CE  
E
= 3V, I = 0  
C
h
= 10V, I = 50mA  
30  
FE  
C
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A1, December 2000  
1234

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KSE340S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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