5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSE350S
KSE350S PDF预览

KSE350S

更新时间： 2024-11-18 12:27:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
High Voltage General Purpose Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSE350S 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-126
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.19
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSE350S 数据手册

 浏览型号KSE350S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSE350S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSE350S的Datasheet PDF文件第4页 
KSE350  
High Voltage General Purpose Applications  
•
•
•
High Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Suitable for Transformer  
Complement to KSE340  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 300  
- 300  
- 5  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
- 500  
20  
mA  
W
°C  
°C  
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
C
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
T
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Max. Units  
BV  
I
= - 1mA, I = 0  
-300  
V
CEO  
CBO  
C
B
I
V
V
V
= - 300V, I = 0  
-100  
-100  
240  
µA  
µA  
CB  
BE  
CE  
E
I
= - 3V, I = 0  
C
EBO  
h
= - 10V, I = - 50mA  
30  
FE  
C
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A1, December 2000  
1234

中文翻译

下载PDF

KSE350S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJE350STU ONSEMI

类似代替

 0.5 A, 300 V PNP Bipolar Power Transistor
MJE350G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor

与KSE350S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSE350STU DIODES

获取价格

 		High Voltage General Purpose Applications
KSE350STU ONSEMI

获取价格

 		PNP 外延硅晶体管
KSE44H FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Power Switching Applications
KSE44H1 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSE44H11 FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
KSE44H11 ONSEMI

获取价格

 		NPN外延硅晶体管
KSE44H11TU FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Power Switching Applications
KSE44H11TU ONSEMI

获取价格

 		NPN外延硅晶体管
KSE44H2 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSE44H4 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

与KSE350S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证