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KSE45H7J69Z

更新时间： 2024-11-14 21:03:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSE45H7J69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：35
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

KSE45H7J69Z 数据手册

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KSE45H Series  
General Purpose Power Switching Applications  
•
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage: V (sat) = -1V (MAX)@-8A  
Fast Switching Speeds  
Complement to KSE44H  
CE  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Emitter Voltage  
: KSE45H 1,2  
- 30  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
CEO  
: KSE45H 4,5  
: KSE45H 7,8  
: KSE45H 10,11  
V
Emitter- Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
- 5  
- 10  
V
A
EBO  
I
I
C
- 20  
A
CP  
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.67  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-10  
Units  
µA  
I
I
V
V
= Rated, V , V = 0  
CES  
EBO  
CE  
EB  
CEO  
EB  
= - 5V, I = 0  
-100  
µA  
C
h
FE  
: KSE45H 1, 4, 7 10  
: KSE45H 2, 5, 8,11  
V
= - 1V, I = - 2A  
35  
60  
CE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
: KSE45H 1, 4, 7 10  
CE  
I
I
= - 8A, I = - 0.8A  
-1  
-1  
V
V
C
C
B
: KSE45H 2, 5, 8,11  
= - 8A, I = - 0.4A  
B
*Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Turn ON Time  
I
= - 8A, I = - 0.8A  
-1.5  
V
MHz  
pF  
BE  
ob  
C
B
f
V
V
V
= - 10V, I = - 0.5A  
40  
230  
135  
500  
100  
T
CE  
CB  
CC  
C
C
= - 10V, f = 1MHz  
t
t
t
=20V, I = - 5A  
ns  
ON  
C
I
= - I = - 0.5A  
B2  
Storage Time  
B1  
ns  
STG  
F
Fall Time  
ns  
* Pulse test: PW≤300µs, Duty cycle≤2%  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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与KSE45H7J69Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSE45H8 FAIRCHILD

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 		General Purpose Power Switching Applications
KSE45H8 SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
KSE45H8J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
KSE45H8TU FAIRCHILD

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KSE45H8TU ONSEMI

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 		Feature
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 		暂无描述
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KSE5020S ROCHESTER

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 		3A, 500V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

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