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KSE5020R PDF预览

KSE5020R

更新时间： 2024-09-26 21:09:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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KSE5020R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：500 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：18 MHz
Base Number Matches：1

KSE5020R 数据手册

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KSE5020  
Feature  
•
•
High Voltage, High Quality High Speed Switching : t =0.1µs  
F
WIDE SOA  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
800  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
500  
7
V
I
I
3
A
C
6
A
CP  
B
I
1
30  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
I
= 1mA, I = 0  
800  
500  
7
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
= 5mA, R =∞  
BE  
I = 1mA, I = 0  
E
C
V
(sus)  
I
= 1.5A, I 1=-I 2= 0.6A  
500  
CEX  
C
B
B
L = 2mH, Clamped  
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
V
= 500V, I = 0  
10  
10  
50  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= 5V, I = 0  
C
h
h
V
V
= 5V, I = 0.3A  
15  
8
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 1.5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
I
= 1.5A, I = 0.3A  
1
V
V
CE  
C
C
B
= 1.5A, I = 0.3A  
1.5  
BE  
B
C
V
V
V
= 10V, f = 1MHz  
50  
18  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
Current Gain Bandwidth Product  
Turn ON Time  
= 10V, I = 0.3A  
T
C
= 200V  
0.5  
3
ON  
S
5I 1 = -2.5I 2=I =2A  
RL = 100Ω  
Storage Time  
B
B
C
µs  
Fall Time  
0.3  
µs  
F
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
15 ~ 30  
20 ~ 40  
30 ~ 50  
FE1  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSE5020S ROCHESTER

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 		3A, 500V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
KSE5020S FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic
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