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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSE45H11J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSE45H11TU | ROCHESTER |
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10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| KSE45H11TU | ONSEMI |
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PNP外延硅晶体管 |
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| KSE45H2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power Switching Applications |
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| KSE45H4 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power Switching Applications |
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| KSE45H5 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power Switching Applications |
|
| KSE45H5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSE45H5J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| KSE45H7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power Switching Applications |
|
| KSE45H7J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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