KSE350

更新时间： 2024-09-25 22:47:31

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描述
High Voltage General Purpose Applications

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KSE350 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.39	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KSE350 数据手册

KSE350

High Voltage General Purpose Applications

•

High Collector-Emitter Breakdown Voltage

Suitable for Transformer

Complement to KSE340

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

- 300

- 5

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CBO

CEO

EBO

- 500

°C

Collector Dissipation (T =25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 65 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

Test Condition

Min.

Max. Units

= - 1mA, I = 0

-300

CEO

CBO

= - 300V, I = 0

-100

240

µA

= - 3V, I = 0

EBO

= - 10V, I = - 50mA

Rev. A, February 2000

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