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KSD362J69Z

更新时间： 2024-02-29 12:46:18

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	65K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSD362J69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	70 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

KSD362J69Z 数据手册

KSD362

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

B/W TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT

· Collector-Base Voltage: V_CBO=150V

TO-220

· Collector Current: I_C=5A

· Collector Dissipation: P_C=40W(T_C=25°C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

150

P_C

°C

Collector Dissipation (T_C=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

1.Base 2.Collector 3.Emitter

T_J

150

T_STG

-55 ~ 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C=25°C)

Characteristic

Symbol

BV_CBO

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I_C= 1mA, I_E= 0

150

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

I_C= 2mA, R_BE= ¥

I_E= 1mA, I_C= 0

140

V_CB= 100V, I_E= 0

V_CE= 5V, I_C= 5A

I_C= 5A, I_B= 0.5A

V_CE= 5V, I_C= 0.5A

DC Current Gain

h_FE

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

1.5

MHz

h_FECLASSIFICATION

Classification

h_FE

20 - 50

40 - 80

70 - 140

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KSD362N	ISC	获取价格	Transistor
KSD362N	ONSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor
KSD362-N	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
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KSD362O	ISC	获取价格	Transistor
KSD362-O	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSD362R	FAIRCHILD	获取价格	B/W TV Horizontal Deflection Output
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