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KSD362N

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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4页	65K
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Power Bipolar Transistor

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KSD362N 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

KSD362N 数据手册

KSD362

B/W TV Horizontal Deflection Output

•

Collector-Base Voltage : V

=150V

CBO

Collector Current : I =5A

Collector Dissipation : P =40W(T =25°C)

TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

150

CBO

CEO

EBO

Collector Dissipation (T =25°C)

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

= 1mA, I = 0

150

CBO

CEO

EBO

= 2mA, R = ∞

= 1mA, I = 0

= 100V, I = 0

140

µA

CBO

DC Current Gain

= 5V, I = 5A

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

= 5A, I = 0.5A

(sat)

= 5A, I = 0.5A

1.5

= 5V, I = 0.5A

MHz

Classification

20 ~ 50

40 ~ 80

70 ~ 140

Rev. A, February 2000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KSD362-N	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSD362O	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
KSD362O	ISC	获取价格	Transistor
KSD362-O	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSD362R	FAIRCHILD	获取价格	B/W TV Horizontal Deflection Output
KSD362R	ROCHESTER	获取价格	5A, 70V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
KSD362R	ONSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor
KSD362R	ISC	获取价格	Transistor
KSD362-R	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
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