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KSD363

更新时间： 2024-02-05 14:05:01

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	110K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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KSD363 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.6
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

KSD363 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

KSD363

DESCRIPTION

·Collector-Base Breakdown Voltage-

: V_(BR)CBO= 300V(Min)

·Collector Current- I_C= 6A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 40W@ T_C= 25℃

APPLICATIONS

·Designed for B/W TV horizontal deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

300

120

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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