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KSD362

更新时间： 2024-01-08 10:04:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 64K
描述
B/W TV Horizontal Deflection Output

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KSD362 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.25最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：70 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

KSD362 数据手册

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KSD362  
B/W TV Horizontal Deflection Output  
•
•
•
Collector-Base Voltage : V  
=150V  
CBO  
Collector Current : I =5A  
C
Collector Dissipation : P =40W(T =25°C)  
C
C
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
150  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
70  
8
V
I
5
40  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 1mA, I = 0  
150  
70  
8
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
E
BV  
BV  
= 2mA, R = ∞  
V
BE  
= 1mA, I = 0  
V
C
I
V
V
= 100V, I = 0  
20  
140  
1
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
= 5V, I = 5A  
20  
FE  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
I
= 5A, I = 0.5A  
V
V
CE  
C
C
B
(sat)  
= 5A, I = 0.5A  
1.5  
BE  
B
f
V
= 5V, I = 0.5A  
10  
MHz  
T
CE  
C
h
Classification  
FE  
Classification  
N
R
O
h
20 ~ 50  
40 ~ 80  
70 ~ 140  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSD362J69Z FAIRCHILD

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KSD362N ISC

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KSD362N ONSEMI

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 		Power Bipolar Transistor
KSD362-N SAMSUNG

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