KSC5042M

更新时间： 2024-02-06 03:30:30

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		高压
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4页	51K
描述
High Voltage Switchihg Dynamic Focus Application

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KSC5042M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	900 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSC5042M 数据手册

KSC5042M

High Voltage Switchihg Dynamic Focus

Application

•

High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BV

=900V

CEO

Small C =2.8pF (Typ.)

Wide S.O.A

High reliability

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

1500

900

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

CBO

CEO

EBO

100

300

Collector Dissipation (T =25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

150

°C

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

= 1mA, I = 0

1500

900

CBO

CEO

EBO

= 5mA, I = 0

= 1mA, I = 0

= 900V, I = 0

µA

CBO

EBO

Emitter Cut-off Current

= 4V, I = 0

DC Current Gain

= 5V, I = 10mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Output Capacitance

= 20mA, I = 4mA

CE (sat)

BE (sat)

= 20mA, I = 4mA

= 100V, f = 1MHz

2.8

Rev. B, December 2002

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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