5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5042M
KSC5042M PDF预览

KSC5042M

更新时间： 2024-11-08 23:16:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 高压
页数 文件大小 规格书
4页 51K
描述
High Voltage Switchihg Dynamic Focus Application

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSC5042M 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIP包装说明：TO-126, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：900 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSC5042M 数据手册

 浏览型号KSC5042M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSC5042M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSC5042M的Datasheet PDF文件第4页 
KSC5042M  
High Voltage Switchihg Dynamic Focus  
Application  
•
•
•
•
High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BV  
=900V  
CEO  
Small C =2.8pF (Typ.)  
ob  
Wide S.O.A  
High reliability  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
1500  
900  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
I
I
100  
mA  
mA  
W
C
300  
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
4
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 1mA, I = 0  
1500  
900  
5
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
E
BV  
BV  
= 5mA, I = 0  
V
B
= 1mA, I = 0  
V
C
I
I
V
V
V
= 900V, I = 0  
10  
10  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
= 4V, I = 0  
C
h
DC Current Gain  
= 5V, I = 10mA  
30  
FE  
C
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
I
= 20mA, I = 4mA  
5
2
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
= 20mA, I = 4mA  
B
C
V
= 100V, f = 1MHz  
CB  
2.8  
pF  
ob  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, December 2002  
1234

中文翻译

下载PDF

与KSC5042M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5042MSTU ROCHESTER

获取价格

 		0.1A, 900V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
KSC5042MSTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast
KSC5042TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
KSC5047 FAIRCHILD

获取价格

 		Feature
KSC5047TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5054 FAIRCHILD

获取价格

 		High Speed High Voltage Switching Industrial Use
KSC5054O FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
KSC5054-O SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, IPAK-3
KSC5054OTU FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
KSC5054R FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251

与KSC5042M相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证