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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5047TU
KSC5047TU PDF预览

KSC5047TU

更新时间： 2024-09-17 12:58:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN

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KSC5047TU 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：TO-3P, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：100 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSC5047TU 数据手册

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KSC5047  
Feature  
•
•
High Current Gain  
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
TO-3P  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
100  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
50  
V
15  
15  
V
I
I
A
C
Base Current  
4
A
B
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
100  
W
°C  
°C  
C
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
I
= 50mA, I = 0  
50  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
V
= 100V, I = 0  
100  
100  
µA  
CB  
EB  
CE  
E
= 15V, I = 0  
µA  
C
h
= 5V, I = 5A  
C
40  
FE  
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn On Time  
I
I
= 5A, I = 0.12A  
0.5  
1.2  
V
CE  
C
C
B
= 5A, I = 0.12A  
V
BE  
B
t
t
t
V
= 20V, I = 5A  
0.5  
2.5  
0.5  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
I
= - I = 0.12A  
Storage Time  
B1  
B2  
STG  
F
R = 4Ω  
L
Fall Time  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, September 2002  
1234

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