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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 3300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5060RJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5060Y | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5060YJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5061 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5061 | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5061J69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5061O | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5061-O | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5061OJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5061-R | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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