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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5200
KSC5200 PDF预览

KSC5200

更新时间： 2024-11-20 23:16:47
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
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5页 65K
描述
Audio Power Amplifier

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KSC5200 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-264
包装说明：TO-264, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.77Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：13 A
集电极-发射极最大电压：230 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：35JEDEC-95代码：TO-264AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

KSC5200 数据手册

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KSC5200  
Audio Power Amplifier  
•
•
•
•
High Current Capability : I =13A  
High Power Dissipation  
Wide S.O.A  
C
Complement to KSA1943  
TO-264  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
230  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current(DC)  
Base Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
230  
5
V
I
I
13  
A
C
1.5  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
130  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 50 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =5mA, I =0  
230  
230  
5
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage I =10mA, R =∞  
V
C
BE  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
I =5mA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=230V, I =0  
5.0  
5.0  
uA  
uA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
V
V
V
=5V, I =0  
C
h
h
* DC Current Gain  
=5V, I =1A  
55  
35  
160  
FE1  
FE2  
C
DC Current Gain  
=5V, I =7A  
60  
0.4  
1.0  
30  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =8A, I =0.8A  
3.0  
1.5  
V
V
CE  
C
B
V
=5V, I =7A  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
V
V
=5V, I =1A  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, f=1MHz  
200  
ob  
* Pulse Test : PW=20us  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
h
55 ~ 110  
80 ~ 160  
FE1  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, Septmeber 2001  
12345

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