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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 3500 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1000 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5054RTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSC5054YTU | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251 |
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| KSC5060 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5060 | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5060J69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5060O | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5060R | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5060-R | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5060RJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5060Y | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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