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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5042TU
KSC5042TU PDF预览

KSC5042TU

更新时间： 2024-11-21 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管开关高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC5042TU 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：900 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：10 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSC5042TU 数据手册

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KSC5042  
High Voltage Switchihg Dynamic Focus  
Application  
•
•
•
•
High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BV  
=900V  
CEO  
Small C =2.8pF(Typ.)  
ob  
Wide S.O.A  
High reliability  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
1500  
900  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
I
I
100  
mA  
mA  
W
C
300  
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
10  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =1mA, I = 0  
1500  
900  
5
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I = 0  
V
C
B
I =1mA, I = 0  
V
E
C
I
I
V
=900V, I = 0  
10  
10  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=4V, I = 0  
C
EB  
CE  
h
*DC Current Gain  
=5V, I = 10mA  
30  
FE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I =20mA, I = 4mA  
5
2
V
V
CE  
C
B
I =20mA, I = 4mA  
BE  
C
B
C
V
=100V, f = 1MHz  
CB  
2.8  
pF  
ob  
* Pulse test: PW = 300µs, Duty Cycle = 2% pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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