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KSC5042MSTU PDF预览

KSC5042MSTU

更新时间： 2024-11-21 21:21:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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KSC5042MSTU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.42其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：900 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSC5042MSTU 数据手册

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KSC5042M  
High Voltage Switchihg Dynamic Focus  
Application  
•
•
•
•
High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BV  
=900V  
CEO  
Small C =2.8pF (Typ.)  
ob  
Wide S.O.A  
High reliability  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
1500  
900  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
I
I
100  
mA  
mA  
W
C
300  
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
4
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 1mA, I = 0  
1500  
900  
5
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
E
BV  
BV  
= 5mA, I = 0  
V
B
= 1mA, I = 0  
V
C
I
I
V
V
V
= 900V, I = 0  
10  
10  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
= 4V, I = 0  
C
h
DC Current Gain  
= 5V, I = 10mA  
30  
FE  
C
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
I
= 20mA, I = 4mA  
5
2
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
= 20mA, I = 4mA  
B
C
V
= 100V, f = 1MHz  
CB  
2.8  
pF  
ob  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, December 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5042TU FAIRCHILD

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 		Feature
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