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KSC5030FOTU

更新时间： 2024-11-21 19:47:27

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	142K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

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KSC5030FOTU 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3PF	包装说明：	TO-3PF, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

KSC5030FOTU 数据手册

KSC5030F

High Voltage Fast Switching Transistor

Features

•

Fast Speed Switching

Wide Safe Operating Area

TO-3PF

1.Base 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

1100

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

800

Collector Current (DC)

* Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation (T_C= 25°C)

Junction Temperature

I_CP

P_C

°C

T_J

150

T_STG

Storage Temperature

-55 ~ 150

* Pulse Test: PW = 300µs, Duty Cycle = 2% Pulsed

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

Tape Width

Quantity

KSC5030F

KSC5030FRTU

TO3PF

KSC5030F Rev. A

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KSC5030F-R	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5030FRTU	FAIRCHILD	获取价格	High Voltage Fast Switching Transistor
KSC5030FTBTU	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
KSC5030N	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5030-N	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5030O	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
KSC5030-O	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5030OTU	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
KSC5030R	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5030RTU	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,