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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 800 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KSC5030FTBTU | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| KSC5030N | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5030-N | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5030O | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| KSC5030-O | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5030OTU | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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