KSB601YTU_NL

更新时间： 2024-10-29 13:09:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
6页	51K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KSB601YTU_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	5000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSB601YTU_NL 数据手册

KSB601

Low Frequency Power Amplifier

•

Medium Speed Switching Industrial Use

Complement to KSD560

TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

*Collector Current (Pulse)

Base Current

Value

- 100

- 7

Units

CBO

CEO

EBO

- 5

- 8

- 0.5

1.5

Collector Dissipation (T =25°C)

°C

Collector Dissipation (T =25°C)

Junction Temperature

150

Storage Temperature

- 55 ~ 150

STG

* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%

Rev. A, February 2000

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与KSB601YTU_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KSB707	SAMSUNG	获取价格	PNP (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
KSB707	FAIRCHILD	获取价格	Low Frequency Power Amplifier
KSB707J69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB707-O	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
KSB707OJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB707R	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB707-R	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB707Y	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB707-Y	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB707YJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti