KSB601YTU_NL

更新时间： 2024-02-04 05:49:24

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
6页	51K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

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KSB601YTU_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	5000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSB601YTU_NL 数据手册

KSB601

Low Frequency Power Amplifier

•

Medium Speed Switching Industrial Use

Complement to KSD560

TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

*Collector Current (Pulse)

Base Current

Value

- 100

- 7

Units

CBO

CEO

EBO

- 5

- 8

- 0.5

1.5

Collector Dissipation (T =25°C)

°C

Collector Dissipation (T =25°C)

Junction Temperature

150

Storage Temperature

- 55 ~ 150

STG

* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%

Rev. A, February 2000

12 3 4 5 6

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