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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 45 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB744A-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126 |
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| KSB744AY | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126 |
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| KSB744A-Y | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| KSB744AYSTU | ROCHESTER |
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3000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
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| KSB744AYSTU | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, |
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| KSB744O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126 |
|
| KSB744-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126 |
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| KSB744OSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| KSB744R | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| KSB744Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126 |
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